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氧化鋁陶瓷基板已經成為芯片領域今后的發展趨勢

硅與氮化鎵的高質量結合是LED芯片的技術難點,增韌氧化鋁陶瓷電路兩者的晶格常數和熱膨脹系數的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題長期以來阻礙著芯片領域的發展。無疑,從基板角度看,主流基板依然是藍寶石和碳化硅,但氧化鋁陶瓷基板已經成為芯片領域今后的發展趨勢。對于價格戰相對嚴重的中國來說,氧化鋁陶瓷基板更有成本和價格優勢:氧化鋁陶瓷基板是絕緣基板,可以省去絕
目前LED產業大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主,增韌氧化鋁陶瓷如能采用氧化鋁陶瓷基板,至少可節省50%的原料成本。據日本三墾電氣公司估計,使用氧化鋁陶瓷基板制作大尺寸藍光LED的制造成本將比藍寶石基板和碳化硅基板低90%。
在國外,歐司朗、美國普瑞、日本三墾等一流企業已經在大尺寸氧化鋁陶瓷基LED研究上取得突破,飛利浦、韓國三星、LG、日本東芝等國際LED巨頭也掀起了一股氧化鋁陶瓷基板LED的研究熱潮。其中,在2011年,美國普瑞在8英寸氧化鋁陶瓷基板上研發出高光效陶瓷基LED,取得了與藍寶石及碳化硅襯底上頂尖水平的LED器件性能相媲美的發光效率160lm/W;在2012年,反觀中國內地,LED芯片企業技術的突破點主要還是提高產能和大尺寸藍寶石晶體生長技術,近年中國芯片企業在陶瓷基板LED研究上無大的突破,目前中國內地LED芯片企業還是主攻產能、藍寶石基板材料及晶圓生長技術,三安光電、德豪潤達、同方股份等內地芯片巨頭也大多在產能上取得突破。
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